遍因(j)掺杂不同添加剂的钙钛矿薄膜的N1s光电子能谱。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，韩国韩国投稿邮箱：[email protected]投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。因此，电影电影HVO提供了快速的Zn2+离子扩散系数和低的Zn2+扩散势垒。

此外，发展还通过XRD、SEM和密度泛函理论研究了反应机理。终于正原（h）HVO的氮吸附-解吸等温线。图二、弄清电化学性能研究（a）HVO电极在0.1mVs-1时的CV曲线。

崛起（d）Zn2p的XPS高分辨率光谱。图五、遍因充放电过程研究（a-c）在各种放电/充电状态下的第一个循环中，HVO阴极的XRD分析。

韩国韩国HVO的反应策略适用于未来的水溶液锌离子电池的设计。

结果表明，电影电影优异的倍率性能源于插层赝电容行为。发展(e,f)基于biuret/triuret混合添加剂制备的钙钛矿薄膜的上表面SEM和横截面SEM照片。

(c)MAPbI3钙钛矿晶体在biuret添加剂帮助下的生长示意图，终于正原(I)将biuret与钙钛矿前驱体混合，终于正原(II)前驱体与添加剂形成PbI2 -biuret-MAI络合物，(III)添加剂吸附在晶核周围，持续吸引游离单体(MAI,PbI2)加速晶体生长，(IV)形成大晶粒钙钛矿并在晶界处残留添加剂。弄清图3:器件结构与光电性能。

崛起(器件结构分别为ITO/PTAA/(FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15/PC61BM/Ag和ITO/NiO/CsPbI2Br/PC61BM/Ag。相反，遍因triuret则更易于在钙钛矿表面聚集和吸附钙钛矿，形成树枝状钙钛矿中间层，这有利于电子从钙钛矿向电子传输层的传递和提升器件效率。